中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所日前發(fā)布信息稱，該所超導(dǎo)實驗室石墨烯課題組在國際上首次通過引入氣態(tài)催化劑的方法，實現(xiàn)了石墨烯單晶在六角氮化硼表面的高取向、快速生長，標(biāo)志著我國在制備石墨烯單晶的研究中再獲重要突破。該方法為在介質(zhì)襯底上制備高質(zhì)量石墨烯單晶膜提供全新的思路和技術(shù)方案，具有可觀的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用前景。
 

    據(jù)該所王浩敏研究員介紹，自2011年起，上海微系統(tǒng)所石墨烯團(tuán)隊就開始開展在六方氮化硼襯底上外延生長石墨烯單晶，及其結(jié)構(gòu)和性能表征工作，并取得了一系列成果。他們在前期掌握石墨烯形核控制、確定單晶和襯底取向關(guān)系的基礎(chǔ)上，以乙炔為碳源，創(chuàng)新性地引入硅烷作為催化劑，通過化學(xué)氣相外延的方法制備晶疇尺寸超過20微米的石墨烯單晶，生長速率較之前文獻(xiàn)報道的提高了兩個數(shù)量級，使氣相催化在石墨烯制備上邁出了一大步。
 

   王浩敏研究員稱，在六角氮化硼這類電介質(zhì)表面直接生長石墨烯單晶，一直是橫亙在整個石墨烯研究領(lǐng)域的一項巨大難題，他們研究開發(fā)的氣態(tài)催化方法突破了這一難題，在國際同行中處于領(lǐng)先位置，目前已經(jīng)申請專利。